Perfil d'acces

Els candidats que s’ajusten al perfil desitjat per ingressar al Programa de Doctorat en Enginyeria Electrònica i que podran ser admesos sense necessitat de complements formatius són aquells que acreditin les tres condicions següents:

• Haver adquirit formació en recerca específica de l’àmbit de la tecnologia electrònica.
• Capacitat de comunicació, oral i escrita, en llengua anglesa.
• Haver establert contacte personal amb un professor vinculat al programa i que aquest en valori positivament les aptituds i motivació per iniciar una tesi doctoral en alguna de les àrees temàtiques.

La primera condició s’acredita mitjançant la superació d’un mínim de 60 ECTS de màster oficial de l’EEES amb orientació en recerca, o títol que acrediti un nivell de formació equivalent i que doni accés al Doctorat en el país d’expedició, i que aquests crèdits de màster corresponguin a formació en l’àmbit de la tecnologia electrònica o alguna de les quatre àrees temàtiques del programa. Mitjançant la llista de principals títols d’accés, es poden identificar els que acrediten aquesta condició i els posseïdors dels quals podran ser admesos sense l’encàrrec de complements formatius. També es poden identificar altres títols que poden adaptar-se al perfil d’ingrés, en funció de l’especialitat o itinerari acadèmic seguit pels estudiants.

La segona condició del perfil d’ingrés s’acredita bé per la condició de llengua materna, bé a través de certificats oficials reconeguts internacionalment (First Certificate, TOEFL, acadèmies oficials d’idiomes) o bé a través d’entrevista personal.

La tercera condició del perfil d’ingrés se satisfà quan, després del contacte personal candidat-professor, aquest comunica al coordinador del programa la seva valoració positiva.

Principals títols d’ingrés
Alguns títols oficials espanyols que acrediten la primera condició del perfil d’ingrés. Els candidats que els posseeixin podran ser admesos sense l’encàrrec de complements formatius. Són:
• Màster en Enginyeria Electrònica
• Màster en Enginyeria de Sistemes Automàtics i Electrònica Industrial
• Màster en Enginyeria Electrònica i Automàtica
• Màster en Enginyeria de Telecomunicació, esp. Electrònica
• Màster en Enginyeria de Xarxes i Telecomunicacions, esp. Electrònica
• Màster en Enginyeria i Gestió de les Telecomunicacions, esp. Recerca
• Màster en Enginyeria Micro- i Nanoelectrònica
• Màster en Nanociència i Nanotecnologia, esp. Physical Sciences and Technologies, Information Technologies, Energy and Environment
• Màster Universitari en Energia i Electrònica de Potència

Altres títols ofereixen algunes especialitats o itineraris acadèmics que permeten acreditar la primera condició del perfil d’ingrés. Entre aquests, i no exclusivament:
• Màster en Enginyeria Industrial
• Màster en Enginyeria de l’Energia
• Màster en Enginyeria Biomèdica
• Màster en Tecnologies de la Informació i les Comunicacions
• Màster Universitari en Física
• Master in Photonics

En aquests casos els estudiants podran ser admesos, però és responsabilitat de la Comissió Acadèmica del Programa de Doctorat examinar l’expedient acadèmic dels candidats i dictaminar si han obtingut formació en recerca específica en l’àmbit de la tecnologia electrònica o si, per contra, requereixen complements formatius.

Perfil de sortida

En finalitzar els estudis el doctorand o doctoranda haurà adquirit les competències i habilitats següents, necessàries per dur a terme una recerca de qualitat (Reial Decret 99/2011, de 28 de gener, pel qual es regulen els ensenyaments oficials de doctorat):

a) Comprensió sistemàtica d'un camp d'estudi i domini de les habilitats i mètodes de recerca relacionats amb aquest camp.
b) Capacitat de concebre, dissenyar o crear, posar en pràctica i adoptar un procés substancial de recerca o creació.
c) Capacitat per contribuir a l'ampliació de les fronteres del coneixement a través d'una recerca original.
d) Capacitat de realitzar una anàlisi crítica i d'avaluació i síntesi d'idees noves i complexes.
e) Capacitat de comunicació amb la comunitat acadèmica i científica i amb la societat en general quant als seus àmbits de coneixement en els modes i idiomes d'ús habitual en la seva comunitat científica internacional.
f) Capacitat de fomentar, en contextos acadèmics i professionals, l'avenç científic, tecnològic, social, artístic o cultural dins d'una societat basada en el coneixement.

Així mateix, l'obtenció del títol de doctor ha de proporcionar una alta capacitació professional en àmbits diversos, especialment en els que requereixen creativitat i innovació. Els doctors han adquirit, almenys, les següents capacitats i habilitats personals per a:

a) Desenvolupar-se en contextos on hi ha poca informació específica.
b) Trobar les preguntes clau que és necessari respondre per resoldre un problema complex.
c) Dissenyar, crear, desenvolupar i emprendre projectes nous i innovadors en el seu àmbit de coneixement.
d) Treballar tant en equip com de manera autònoma en un context internacional o multidisciplinari.
e) Integrar coneixements, enfrontar-se a la complexitat i formular judicis amb informació limitada.
f) La crítica i defensa intel·lectual de solucions.

Per finalitzar, els doctorands hauran de demostrar les competències següents:
a) Haver adquirit coneixements avançats en la frontera del coneixement i demostrat, en el context de la recerca científica reconeguda internacionalment, una comprensió profunda detallada i fonamentada dels aspectes teòrics i pràctics i de la metodologia científica en un o més àmbits de recerca.
b) Haver fet una contribució original i significativa a la recerca científica en el seu àmbit de coneixement i que aquesta contribució hagi estat reconeguda com a tal per la comunitat científica internacional.
c) Haver demostrat que són capaços de dissenyar un projecte de recerca amb el qual dur a terme una anàlisi crítica i una avaluació de situacions imprecises on aplicar les seves contribucions i els seus coneixements i metodologia de treball per realitzar una síntesi d’idees noves i complexes que produeixin un coneixement més profund del context de recerca en què es treballi.
d) Haver desenvolupat l’autonomia suficient per iniciar, gestionar i liderar equips i projectes de recerca innovadors i col·laboracions científiques, nacionals o internacionals, dins del seu àmbit temàtic, en contextos multidisciplinaris i, quan calgui, amb un alt component de transferència de coneixement.
e) Haver mostrat que són capaços de desenvolupar la seva activitat de recerca amb responsabilitat social i integritat científica.
f) Haver demostrat dins el seu context científic específic que són capaços de fer avenços en aspectes culturals, socials o tecnològics, així com de fomentar la innovació en tots els àmbits en una societat basada en el coneixement.
g) Haver justificat que són capaços de participar en les discussions científiques que es desenvolupen a nivell internacional en el seu àmbit de coneixement i de divulgar els resultats de la seva activitat de recerca a tot tipus de públics.

Nombre de places

20

Durada dels estudis i règim de dedicació

Durada
La durada dels estudis de doctorat a temps complet és d'un màxim de tres anys, a comptar des de l'admissió del doctorand o doctoranda al programa fins a la presentació de la tesi doctoral. La comissió acadèmica del programa de doctorat pot autoritzar que es duguin a terme els estudis de doctorat a temps parcial. En aquest cas, els estudis tenen una duració màxima de cinc anys des de l'admissió al programa fins a la presentació de la tesi doctoral. A l'efecte del còmput d'aquests terminis, el moment d'admissió es considera que és la primera matrícula de tutoria i el de presentació, el moment en què l'Escola de Doctorat formalitza el dipòsit de la tesi doctoral.

La duració mínima del doctorat és de dos anys, a comptar des de l'admissió del doctorand o doctoranda al programa fins al dipòsit de la tesi doctoral per als doctorands i doctorandes a temps complet, i de quatre anys per als doctorands i doctorandes a temps parcial. Es pot sol·licitar l'exempció d'aquest termini a la comissió acadèmica del programa de doctorat, amb l'autorització del director o directora i del tutor acadèmic o tutora acadèmica de la tesi, sempre que hi concorrin motius justificats.

A l'efecte del còmput dels períodes anteriors, no es tenen en compte les baixes per malaltia, embaràs o qualsevol altra causa prevista per la normativa vigent. L'estudiant que es trobi en qualsevol de les situacions especificades ha de comunicar-ho a la comissió acadèmica del programa de doctorat, la qual n'ha d'informar, si escau, l'Escola de Doctorat. El doctorand o doctoranda pot sol·licitar la baixa temporal del programa per a un període màxim d'un any, ampliable fins a un any més. La sol·licitud, justificada, s'ha d'adreçar a la comissió acadèmica del programa de doctorat, que ha de resoldre si es concedeix la baixa temporal sol·licitada. Cada programa ha d'establir les condicions de readmissió al doctorat.

Pròrroga dels estudis
En el cas dels estudis a temps complet, si una vegada transcorregut el termini de tres anys no s'ha presentat la sol·licitud de dipòsit de la tesi doctoral, la comissió acadèmica del programa pot autoritzar una pròrroga d'aquest termini d'un any més en les condicions que s'hagin establert en el programa. En el cas dels estudis a temps parcial, es pot autoritzar una pròrroga de dos anys més. Tant en el cas dels estudis a temps complet com en el dels estudis a temps parcial, excepcionalment i mitjançant la sol·licitud motivada de la comissió acadèmica del programa de doctorat, la Comissió Permanent de l'Escola de Doctorat pot ampliar la pròrroga un altre any addicional.

Baixa del programa de doctorat
Són motiu de baixa d'un programa de doctorat:

• La sol·licitud motivada del doctorand o doctoranda de la baixa del programa.
• L'exhauriment del termini màxim de permanència i de les pròrrogues corresponents que s'hagin autoritzat.
• No haver formalitzat la matrícula anual en cada curs (excepte que s'hagi autoritzat una baixa temporal).
• Obtenir dues avaluacions consecutives no satisfactòries.
• Tenir expedients disciplinaris amb una resolució de desvinculació de la UPC.

La baixa del programa implica que el doctorand o doctoranda no hi pot continuar i el tancament de l‘expedient acadèmic. No obstant això, pot sol·licitar la readmissió a la comissió acadèmica del programa, que, d'acord amb els criteris establerts a la normativa, n'ha de tornar a valorar l'accés.

Organització

• Moll Echeto, Francesc

• del Rio Fernandez, Joaquin
• Martinez Garcia, Herminio
• Moll Echeto, Francesc
• Puigdollers Gonzalez, Joaquim
• Rodriguez Montañes, Rosa

Universitat dels Illes Balears (UIB)

• Departament d'Enginyeria Electrònica (PROMOTORA)

doctorat.eel@upc.edu

Perfil d'acces

Els candidats que s’ajusten al perfil desitjat per ingressar al Programa de Doctorat en Enginyeria Electrònica i que podran ser admesos sense necessitat de complements formatius són aquells que acreditin les tres condicions següents:

• Haver adquirit formació en recerca específica de l’àmbit de la tecnologia electrònica.
• Capacitat de comunicació, oral i escrita, en llengua anglesa.
• Haver establert contacte personal amb un professor vinculat al programa i que aquest en valori positivament les aptituds i motivació per iniciar una tesi doctoral en alguna de les àrees temàtiques.

La primera condició s’acredita mitjançant la superació d’un mínim de 60 ECTS de màster oficial de l’EEES amb orientació en recerca, o títol que acrediti un nivell de formació equivalent i que doni accés al Doctorat en el país d’expedició, i que aquests crèdits de màster corresponguin a formació en l’àmbit de la tecnologia electrònica o alguna de les quatre àrees temàtiques del programa. Mitjançant la llista de principals títols d’accés, es poden identificar els que acrediten aquesta condició i els posseïdors dels quals podran ser admesos sense l’encàrrec de complements formatius. També es poden identificar altres títols que poden adaptar-se al perfil d’ingrés, en funció de l’especialitat o itinerari acadèmic seguit pels estudiants.

La segona condició del perfil d’ingrés s’acredita bé per la condició de llengua materna, bé a través de certificats oficials reconeguts internacionalment (First Certificate, TOEFL, acadèmies oficials d’idiomes) o bé a través d’entrevista personal.

La tercera condició del perfil d’ingrés se satisfà quan, després del contacte personal candidat-professor, aquest comunica al coordinador del programa la seva valoració positiva.

Principals títols d’ingrés
Alguns títols oficials espanyols que acrediten la primera condició del perfil d’ingrés. Els candidats que els posseeixin podran ser admesos sense l’encàrrec de complements formatius. Són:
• Màster en Enginyeria Electrònica
• Màster en Enginyeria de Sistemes Automàtics i Electrònica Industrial
• Màster en Enginyeria Electrònica i Automàtica
• Màster en Enginyeria de Telecomunicació, esp. Electrònica
• Màster en Enginyeria de Xarxes i Telecomunicacions, esp. Electrònica
• Màster en Enginyeria i Gestió de les Telecomunicacions, esp. Recerca
• Màster en Enginyeria Micro- i Nanoelectrònica
• Màster en Nanociència i Nanotecnologia, esp. Physical Sciences and Technologies, Information Technologies, Energy and Environment
• Màster Universitari en Energia i Electrònica de Potència

Altres títols ofereixen algunes especialitats o itineraris acadèmics que permeten acreditar la primera condició del perfil d’ingrés. Entre aquests, i no exclusivament:
• Màster en Enginyeria Industrial
• Màster en Enginyeria de l’Energia
• Màster en Enginyeria Biomèdica
• Màster en Tecnologies de la Informació i les Comunicacions
• Màster Universitari en Física
• Master in Photonics

En aquests casos els estudiants podran ser admesos, però és responsabilitat de la Comissió Acadèmica del Programa de Doctorat examinar l’expedient acadèmic dels candidats i dictaminar si han obtingut formació en recerca específica en l’àmbit de la tecnologia electrònica o si, per contra, requereixen complements formatius.

Requisits d'accés

Per accedir a un programa oficial de doctorat cal tenir els títols oficials espanyols de grau, o equivalent, i de màster universitari, o equivalent, sempre que s'hagin superat, com a mínim, 300 crèdits ECTS en el conjunt d'aquests dos ensenyaments. (Reial decret 43/2015, de 2 de febrer)

Així mateix, hi poden accedir aquelles persones que es troben en algun d'aquests altres supòsits:

• Tenir un títol universitari oficial espanyol o d'un altre país integrant de l'EEES que habiliti per a l'accés a estudis de màster, d'acord amb el que estableix l'article 16 del Reial decret 1393/2007, de 29 d'octubre, pel qual s'estableix l'ordenació dels ensenyaments universitaris oficials, i haver superat un mínim de 300 crèdits ECTS en el conjunt d'estudis universitaris oficials, dels quals com a mínim 60 han de ser d'estudis de màster.
• Tenir un títol oficial espanyol de graduat o graduada, la durada del qual, d'acord amb les normes de dret comunitari, sigui, com a mínim, de 300 crèdits ECTS. Aquestes persones han de cursar amb caràcter obligatori els complements de formació, llevat que el pla d'estudis del títol de grau corresponent inclogui crèdits de formació en recerca equivalents quant a valor formatiu als crèdits en recerca procedents d'estudis de màster.
• Tenir un títol universitari i, amb l'obtenció prèvia d'una plaça en formació en la prova d'accés corresponent a places de formació sanitària especialitzada, haver superat amb una avaluació positiva com a mínim dos anys de formació d'un programa per a l'obtenció del títol oficial d'alguna de les especialitats en ciències de la salut.
• Haver obtingut un títol de sistemes educatius estrangers, sense que en sigui necessària l'homologació, amb la comprovació prèvia de la UPC que aquest acredita un nivell de formació equivalent a la del títol oficial espanyol de màster universitari i que faculta al país expedidor del títol per a l'accés a estudis de doctorat. Aquesta admissió no implica, en cap cas, l'homologació del títol previ que té la persona interessada ni el seu reconeixement a cap altre efecte que el de l'accés a ensenyaments de doctorat.
• Tenir un altre títol espanyol de doctor o doctora obtingut d'acord amb ordenacions universitàries anteriors.

Nota 1: Normativa d'accés als estudis de doctorat per a les persones titulades de llicenciatura, enginyeria o arquitectura conforme al sistema anterior a l'entrada en vigor de l'EEES (CG 47/02 2014)

Nota 2: Acord núm. 64/2014 del Consell de Govern pel qual s'aprova el procediment i els criteris de valoració dels requisits acadèmics d'admissió al doctorat amb estudis estrangers no homologats (CG 25/03 2014)

Criteris d'admissió i valoració de mèrits

La Comissió Acadèmica verifica el compliment de les condicions d’accés segons la legislació vigent, i decideix sobre l’admissió i sobre la necessitat d’encarregar complements de formació, atenent a la documentació aportada i respectant els principis de mèrit i igualtat d’oportunitats.

Per a cada candidat o candidata, es valoraran els aspectes següents i s’atorgaran punts per cada un d’aquests:

• Adequació de les competències adquirides pels estudiants en els seus estudis d’accés al doctorat (fins a 3 punts).
• Expedient acadèmic (fins a 3 punts).
• Coneixement de llengua anglesa (fins a 1 punt).
• Valoració del grup de recerca i integració en projectes (fins a 3 punts).

Se sumaran les diverses valoracions, la qual cosa produirà per a cada candidat o candidata una puntuació d’accés. En general, s’admetran els candidats que acreditin les condicions del perfil d’ingrés i que obtinguin una puntuació d’accés d’almenys 6 punts. En el cas que la demanda superi l’oferta de places, s’ordenaran els candidats segons la puntuació obtinguda i s’admetrà primer els que obtinguin més puntuació.

Criteris d’establiment dels complements de formació

Per als següents tres supòsits d’admissió:

1. Candidats que comptin amb un títol oficial espanyol de grau (o equivalent) i de màster universitari.
2. Candidats que estiguin en possessió d’un títol universitari oficial espanyol o d’un altre país integrant de l’Espai Europeu d’Educació Superior que habiliti per a l’accés a estudis de màster i que hagin superat un mínim de 300 crèdits ECTS en el conjunt d’estudis universitaris oficials, dels quals 60 com a mínim siguin d’estudis de màster.
3. Candidats que estiguin en possessió d’un títol obtingut en sistemes educatius estrangers, sense necessitat d’homologació, amb la comprovació prèvia de la universitat de la qual aquest acredita un nivell de formació equivalent al del títol oficial espanyol de màster universitari i que faculta en l país expedidor del títol per a l’accés a estudis de doctorat.

• Si el candidat acredita els tres requisits especificats en el perfil d’ingrés, és admès al programa sense encàrrec de complements formatius, i se li assigna tutor o tutora.
  
• Si, després d’examinar l’expedient acadèmic de màster, els candidats no acrediten suficient formació de recerca específica en l’àmbit de la tecnologia electrònica però compten amb el vistiplau d’un grup investigador per a la realització de la tesi doctoral, són admesos amb encàrrec de crèdits formatius, amb consulta prèvia al tutor o la tutora proposats.

4. Per al supòsit en què la persona candidata estigui en possessió d’un títol oficial espanyol de graduat o graduada, la durada del qual, segons les normes de dret comunitari, sigui com a mínim de 300 crèdits ECTS:

• Si els candidats acrediten els tres requisits especificats en el perfil d’ingrés, ja que el pla d’estudis del corresponent títol de grau inclou crèdits de formació en recerca, equivalents quant a valor formatiu als crèdits en recerca procedents d’estudis de màster, són admesos al programa sense encàrrec de complements formatius, i se’ls assigna tutor o tutora.
• Si el pla d’estudis del corresponent títol de grau no inclou crèdits de formació en recerca, equivalents quant a valor formatiu als crèdits en recerca procedents d’estudis de màster, però els candidats compten amb el vistiplau d’un grup investigador per a la confecció de la tesi doctoral, són admesos amb encàrrec de crèdits formatius, amb la consulta prèvia al tutor o la tutora proposats.

Complements formatius

La Comissió Acadèmica del programa pot exigir que hagin de superar complements de formació específics. En aquest cas, farà un seguiment dels complements de formació cursats i establirà els criteris convenients per limitar-ne la durada.

Els complements seran de formació en recerca, però mai podrà exigir-se als doctorands la matrícula d’una quantitat igual o superior a 60 ECTS (a la normativa acadèmica dels estudis de doctorat figura que els complements podran ser també de formació transversal, però està previst modificar-la per associar aquests complements exclusivament a crèdits de recerca, especialment per al cas en què estigui previst l’accés al Doctorat amb un grau de 300 ECTS).

Tenint en compte el document d’activitats dels doctorands, la Comissió Acadèmica del programa podrà proposar mesures complementàries a les que estableix la normativa que condueixin a la desvinculació dels doctorands que no assoleixin els criteris establerts.

Com s’ha detallat en els criteris d’admissió, l’encàrrec de complements formatius només es fa als estudiants admesos que no acreditin haver adquirit formació investigadora específica en l’àmbit de la tecnologia electrònica. Els estudiants que acreditin un dels principals títols d’ingrés especificades en els criteris d’admissió no rebran encàrrec de complements de formació.

Els complements formatius encarregats consistiran sempre en crèdits ECTS matriculats en assignatures de recerca del Màster en Enginyeria Electrònica de la UPC o de la UIB, o altres màsters afins, a proposta del tutor o la tutora.

En el cas d’estudiants indicats en els supòsits 1, 2 o 3 descrits a l’apartat de criteris d’admissió, el nombre de crèdits estarà entre 5 i 30, i serà establert en funció de l’expedient acadèmic dels candidats i després de consultar el tutor o la tutora proposats.

En el cas d’estudiants que indica el supòsit 4 descrit en l’apartat de criteris d’admissió, el nombre de crèdits estarà entre 15 i 50, i serà establert en funció de l’expedient acadèmic dels candidats i amb consulta prèvia al tutor o la tutora proposats.

Els complements formatius hauran de ser superats en el termini màxim d’un any des de la primera matrícula, i la Comissió Acadèmica del programa és l’encarregada de verificar-ho coincidint amb l’avaluació anual de tutoria. La superació dels complements formatius s’acredita superant les avaluacions establertes en les assignatures de màster matriculades.

Període de matrícula dels nous doctorands

La primera matrícula al Programa de Doctorat s’haurà de fer dins del termini especificat en la resolució d’admissió.

Excepte que s’indiqui expressament el contrari, les matrícules corresponents a les resolucions d’admissió emeses amb posterioritat a la segona quinzena d’abril hauran de ser fetes dins del període ordinari de matrícula de l’any acadèmic en curs.

Més informació a la secció de matrícula per a nous doctorands

Període de matrícula

Període ordinari de matrícula (segones matrícules i successives): s’hauran de fer durant la primera quinzena d’octubre de l’any acadèmic en curs.

Més informació a la secció general de matrícula

Procediment per l'elaboració i defensa del pla de recerca

El doctorand o doctoranda ha d'elaborar un pla de recerca, abans de finalitzar el primer any, que s'inclourà en el document d'activitats del doctorand o doctoranda. Aquest pla, que podrà ser millorat durant els estudis de doctorat, ha de ser avalat pel tutor o tutora i pel director o directora, i ha d'incloure la metodologia que s'utilitzarà, així com els objectius que es vulguin aconseguir amb la investigació.

Com a mínim una de les avaluacions anuals ha de preveure una exposició i defensa pública del pla de recerca i de l'estat del treball realitzat davant un tribunal compost per tres doctors o doctores, d'acord amb el que determini cada comissió acadèmica. Aquest tribunal emet una acta amb la qualificació de satisfactori o no satisfactori. L'avaluació positiva del pla de recerca és un requisit indispensable per continuar en el programa de doctorat. Si l'avaluació és no satisfactòria, el doctorand o doctoranda disposa d'un termini de sis mesos per elaborar i presentar un nou pla de recerca, que avalua la comissió acadèmica del programa de doctorat.

Aquesta mateixa comissió s'encarrega d'avaluar anualment el pla de recerca, així com la resta d'evidències incloses en el document d'activitats del doctorand o doctoranda. Dues avaluacions consecutives no satisfactòries del pla de recerca comporten la baixa definitiva del programa.

En cas que el doctorand o doctoranda canviï de tema de tesi, haurà de presentar un nou pla de recerca.

Activitats formatives del programa

Activitat: Tutoria.
Hores: 288.
Caràcter: obligatòria.
Descripció:
Assessorament, ajuda, seguiment i control dels doctorands amb l’objecte que assoleixin les competències definides en el perfil de sortida.
La tutoria es fa de manera periòdica durant tot el programa.

Activitat: Elaboració d’informes de recerca en el marc de projectes de recerca finançats.
Hores: 20.
Caràcter: opcional.
Descripció: Participació en projectes de recerca finançats i elaboració d’informes de progrés i finals, com a formació de realització de recerca conjuntament amb equips de la pròpia i altres institucions, i amb estructuració contractual.

Activitat: Assistència a congressos.
Hores: 24.
Caràcter: opcional.
Descripció: Assistència a congressos científics relacionats amb la temàtica de recerca, preferentment internacionals i de contrastada rellevància, amb l’objectiu de conèixer els últims avenços en la temàtica de recerca dels doctorands, i poder contactar, presentar i discutir el progrés de la recerca amb altres investigadors de la mateixa temàtica.

Activitat: Publicacions.
Hores: 30.
Caràcter: obligatòria.
Descripció: Publicació dels resultats de la tesi en revistes indexades, preferentment d’alt impacte (índex JCR), patents acceptades o publicacions en actes de congressos internacionals de contrastada rellevància (congrés notable, segons classificació UPC).
Caràcter: obligatòria. Estimació en nombre d’hores per a la redacció d’un article de 4 pàgines = 30 hores.
S’espera que els doctorands portin a terme aquesta activitat entre el segon i tercer any de la tesi.
És un requisit justificar una publicació en l’avaluació anual de tutoria del segon any.
També és un requisit justificar una publicació rellevant abans d’autoritzar el dipòsit de la tesi. En tots els casos, el doctorand o doctoranda n’ha de ser el primer autor.

Activitat: Jornades de doctorat o doctorat-empresa.
Hores: 8.
Caràcter: opcional.
Descripció: Participació en jornades de doctorat, amb l’objectiu de difondre el treball investigador dins de la comunitat universitària i en l’entorn social i empresarial proper, amb la perspectiva de la inserció professional.

Activitat: Mobilitat.
Hores: 480.
Caràcter: opcional.
Descripció: Estada en centres estrangers per confeccionar part de la tesi, amb l’objectiu de participar d’equips/sistemes de treball diferents de l’habitual, establir col·laboracions i beneficiar-se de l’experiència i mitjans d’altres equips de treball.
Estades: Càlcul de 40 hores setmanals per 12 setmanes aproximadament.

Activitat: Avaluació derivada del seguiment del DAD i del pla de recerca.
Hores: 4.
Caràcter: obligatòria.
Descripció: Validació del progrés acadèmic dels doctorands i dels objectius i metodologia que segueixen en el treball de recerca.

Activitat: Cursos i conferències.
Hores: 10.
Caràcter: opcional.
Descripció: Millora dels coneixements de temàtica relacionada amb la recerca de la tesi doctoral, a través de l’assistència a cursos i conferències impartits per professors externs al programa. Exemples previs: http://eel.postgrau.upc.edu/informacion-academica/cursos-y-seminarios.

Activitat: Participació en seminaris específics interns dels grups de recerca.
Hores: 10.
Caràcter: opcional.
Descripció: Participació en seminaris interns organitzats pels grups de recerca, com a fòrum intern de presentació i discussió del progrés investigador individual i conjunt.

Procediment d'assignació de tutor i director de tesi

La comissió acadèmica del programa assigna un director o directora de tesi a cada doctorand o doctoranda en el moment de l'admissió o en la primera matrícula, atès el compromís de direcció de la resolució d'admissió al programa.

El director o directora de tesi és la persona responsable de la coherència i idoneïtat de les activitats de formació, de l'impacte i la novetat en el seu camp de la temàtica de la tesi doctoral i de la guia en la planificació i la seva adequació, si n'hi ha, a la d'altres projectes i activitats on s'inscrigui el doctorand o doctoranda. Amb caràcter general, el director o directora de la tesi és un professor o professora o un investigador o investigadora membre de la Universitat Politècnica de Catalunya amb el títol de doctor o doctora i experiència investigadora acreditada. Aquest concepte inclou el personal doctor de les entitats vinculades, segons la decisió del Consell de Govern, i d'instituts de recerca adscrits a la UPC, d'acord amb els convenis de col·laboració i d'adscripció corresponents. Quan el director o directora és personal de la UPC també actua com a tutor o tutora.

Els doctors o doctores a qui, per raó de la seva relació contractual o l'entitat d'adscripció, no els són aplicables els conceptes anteriors, han de rebre un informe positiu de la Comissió Permanent de l'Escola de Doctorat de la UPC per poder formar part del programa de doctorat com a investigador o investigadora amb recerca acreditada.

La comissió acadèmica del programa de doctorat pot aprovar la designació d'un doctor o doctora expert que no pertanyi a la UPC com a director o directora. En aquest cas, cal l'autorització prèvia de la Comissió Permanent de l'Escola de Doctorat de la UPC, així com la proposta d'un doctor o doctora amb experiència investigadora acreditada de la UPC, que actua com a codirector o codirectora o, si no n'hi ha, com a tutor o tutora.

El director o directora de tesi pot renunciar a la direcció de la tesi doctoral, sempre que hi concorrin raons justificades apreciades per la comissió. En aquest cas, la comissió acadèmica del programa de doctorat ha d'assignar al doctorand o doctoranda un nou director o directora.

La comissió acadèmica del programa de doctorat, una vegada ha escoltat el doctorand o doctoranda, pot modificar el nomenament del director o directora de tesi en qualsevol moment del període de realització del doctorat, sempre que hi concorrin raons justificades.

Si hi ha motius acadèmics que ho justifiquen (interdisciplinarietat temàtica, programes conjunts o internacionals, etc.) i la comissió acadèmica del programa ho acorda, es pot assignar un codirector o codirectora de tesi addicional. El director o directora i el codirector o codirectora tenen les mateixes competències i el mateix reconeixement acadèmic.

El nombre màxim de supervisors que pot tenir una tesi doctoral és de dos: un director o directora i un codirector o codirectora.

Per a tesis en règim de cotutela i de doctorat industrial, si és necessari i ho estableix el conveni, es pot acordar no aplicar-hi aquest màxim. No obstant això, el nombre màxim de directors o directores que poden pertànyer a la UPC és de dos.

Més informació a la secció de tesis doctorals

Permanència

En el cas dels estudis a temps complet, si un cop transcorregut el termini de tres anys no s'ha presentat la sol·licitud de dipòsit de la tesi doctoral, la comissió acadèmica del programa pot autoritzar una pròrroga d'aquest termini d'un any més en les condicions que la Normativa acadèmica dels estudis de doctorat de la Universitat Politècnica de Catalunya hagi establert en el programa. En el cas dels estudis a temps parcial, es pot autoritzar una pròrroga de dos anys més. Tant en el cas dels estudis a temps complet com en el dels estudis a temps parcial, excepcionalment, i a sol·licitud motivada de la comissió acadèmica del programa de doctorat, la Comissió Permanent de l'Escola de Doctorat pot ampliar la pròrroga un altre any addicional.

Són motiu de baixa d'un programa de doctorat:

• La sol·licitud motivada del doctorand o doctoranda de la baixa del programa.
• L'exhauriment del termini màxim de permanència i de les pròrrogues corresponents que s'hagin autoritzat.
• No haver formalitzat la matrícula anual en cada curs (llevat que s'hagi autoritzat una baixa temporal).
• Obtenir dues avaluacions consecutives no satisfactòries.
• Tenir expedients disciplinaris amb una resolució de desvinculació de la UPC.

La baixa del programa implica que el doctorand o doctoranda no hi pot continuar i el tancament de l'expedient acadèmic. No obstant això, pot sol·licitar la readmissió a la comissió acadèmica del programa, que, d'acord amb els criteris establerts a la normativa, n'ha de tornar a valorar l'accés.

Menció Internacional

El títol de doctor o doctora pot incloure la menció internacional. En aquest cas, el doctorand o doctoranda haurà de complir els requisits següents:

a) Al llarg de l'etapa formativa necessària per obtenir el títol de doctor o doctora, el doctorand o doctoranda ha d'haver fet una estada mínima de tres mesos en una institució d'ensenyament superior o centre de recerca de prestigi fora d'Espanya, per cursar-hi estudis o fer-hi treballs de recerca. L'estada i les activitats han d'estar avalades pel director o directora i han d'estar autoritzades per la comissió acadèmica del programa, i cal acreditar-les amb el certificat corresponent expedit per la persona responsable del grup de recerca de l'organisme o els organismes on s'ha realitzat. Aquesta informació s'incorpora al document d'activitats.
b) Una part de la tesi, com a mínim el resum i les conclusions, s'ha d'haver redactat i presentat en una de les llengües habituals per a la comunicació científica en el seu camp de coneixement i diferent de les que són oficials a Espanya. Aquesta norma no s'aplica si l'estada, els informes i els experts provenen d'un país de parla hispana.
c) La tesi ha de tenir l'informe previ, acreditat oficialment, d'un mínim de dos doctors o doctores experts que pertanyin a alguna institució d'ensenyament superior o centre de recerca no espanyol.
d) Com a mínim un doctor o doctora expert, pertanyent a una institució d'ensenyament superior o de recerca no espanyol i que no sigui la persona responsable de l'estada (apartat a), ha d'haver format part del tribunal d'avaluació de la tesi.
e) La defensa de la tesi s'ha d'haver fet a les instal·lacions de la UPC o, en el cas de programes conjunts, al lloc que s'especifica en el conveni de col·laboració.

Llistat de tesis autoritzades per a defensa

Darrera actualització: 26/11/2022 05:45:14.

Llistat de tesis en dipòsit

Darrera actualització: 26/11/2022 05:30:19.

Llistat de tesis defensades per any

• AGHAZADEH DAFSARI, SEYED RASOUL: Timed Array Antenna System: Application to Wideband and Ultra-Wideband Beamforming Receivers
  
  Autor/a: AGHAZADEH DAFSARI, SEYED RASOUL
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/674303
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 03/05/2022
  Director/a de tesi: MARTINEZ GARCIA, HERMINIO
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: LOPEZ VILLEGAS, JOSE MARIA
       SECRETARI: COSP VILELLA, JORDI
       VOCAL: URANGA DEL MONTE, ARANTZAZU
  Resum de tesi: Els sistemes matricials d¿antenes tenen una àmplia gamma d¿aplicacions en radiofreqüència (RF) i comunicacions de banda ultraampla (UWB) per rebre i transmetre ones electromagnètics. Poden millorar l¿amplitud dels senyals d¿entrada rebuts, dirigir els feixos electrònicament i rebutjar les interferències gràcies a la tècnica de formació de feixos (beamforming). En un sistema beamforming de matriu d¿antenes, les cèl·lules de retard amb capacitat ajustable del retard, compensen aquest retard relatiu dels senyals rebuts per les diferents antenes. De fet, cada antena gairebé actua individualment depenent dels efectes de retard de temps sobre el senyals d¿entrada. Com a resultat, les cel·les de retard són els elements bàsics en el disseny dels actuals sistemes beamforming.Amb aquest propòsit, en aquesta tesi es presenten noves cèl·lules actives de retard en temps real (TTD, true time delay) adequades per a matrius d¿antenes de RF. Aquestes cèl·lules de retard actives es basen en cèl·lules de primer i segon ordre passa-tot (APF), i aconsegueixen un guany i un retard força plans, en el rang de freqüència de fins a 10 GHz. Diverses tècniques com ara la linealitat de fase i la sintonització del retard s¿han aconseguit per millorar el disseny i el rendiment. La cèl·lulas APF de primer ordre s¿ha dissenyat per a un rang de freqüències de fins a 5 GHz, mostrant unes respostes freqüencials i linealitat que són comparables amb l¿estat de l¿art actual. Aquestes cél·lulas APF de primer ordre es poden convertir en un APF de segon ordre afegint un condensador més connectat a massa. També s¿ha dissenyat un APF compacte de segon ordre que utilitza una emulació d¿inductor actiu per a freqüències de treball de fins a 10 GHz. S¿ha utilitzat l'inductor actiu per ajustar la quantitat de retard introduït i reduir les dimensions del filtre al xip.Per validar les prestacions de les cel·les de retard propostes, s¿han proposat dos receptors beamforming basats en matrius d¿antenes de 4 canals, realitzats por célules TTD actives. Cada canal d¿antena aprofita el guany i el retard controlables digitalment aplicats al senyal d¿entrada, i demostra resolucions de guany i retard desitjables. Els receptors beamforming s¿han dissenyat per a diferents aplicacions UWB segons els seus rangs de freqüències de funcionament (en aquest cas, 3-5 i 3,1-10,6 GHz) i, per tant, tenen diferents requisits i especificacions de disseny del sistema. Tots els circuits i topologies presentats en aquesta tesi s¿han dissenyat en tecnologies CMOS estàndards de 180 nm, amb una freqüència de guany unitari (ft) de fins a 60 GHz.
  

• ALFARO ARAGÓN, CARLOS ARTURO: Una nueva perspectiva del modelado y control de microrredes eléctricas y convertidores de potencia
  
  Autor/a: ALFARO ARAGÓN, CARLOS ARTURO
  Tesi completa: (contacteu amb l'Escola de Doctorat per confirmar que sou un doctor acreditat i obtenir l'enllaç a la tesi)
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Compendi de publicacions
  Data de lectura: 28/06/2022
  Director/a de tesi: GARCIA DE VICUÑA MUÑOZ DE LA NAVA, JOSE LUIS | GUZMAN SOLA, RAMON
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: FIGUERES AMORÓS, EMILIO
       SECRETARI: CASTILLA FERNANDEZ, MIGUEL
       VOCAL: GARCERÁ SANFELIU, GABRIEL
  Resum de tesi: Esta tesis doctoral se enfoca en el modelado y control de microrredes el éctricas y convertidores trifásicos. Los puntos de partida de este trabajo de investigación se basan en trabajos previos de modelado de microrredes el éctricas trabajando enmodo aislado, y en la base teórica del control basado en el método de la pendiente, ampliamente estudiado en microrredes eléctricas. Además, este trabajo tiene como base trabajos previos de control predictivo aplicado a convertidores trifásicos, yen las bases teóricas de este tipo de control ampliamente utilizado en la Electrónica de Potencia. La principal aportación de esta tesis doctoral es la deducción de un modelo matemático en gran señal que describe las dinámicas de las potenciasactiva y reactiva que fluyen a través convertidores conectados en la microrred. Esta propuesta permitirá obtener nuevas técnicas de control de convertidores trifásicos conectados en microrredes, como, por ejemplo, control predictivo basado enmodelo. Cabe destacar que el uso de este modelo puede ser utilizado como herramienta para la deducci ón de la estabilidad global de la microrred. Los sistemas tratados en esta tesis son un rectificador trifásico con factor de potenciaunitario y una microrred trifásica compuesta por cinco inversores trifásicos.Vilanova
  

• CANZIANI AMICO, FRANCO: Design and Implementation of Rural Microgrids ¿ Laguna Grande Case Study
  
  Autor/a: CANZIANI AMICO, FRANCO
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/675056
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 22/07/2022
  Director/a de tesi: CASTILLA FERNANDEZ, MIGUEL | MIRET TOMAS, JAUME
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: FIGUERES AMORÓS, EMILIO
       SECRETARI: GARCIA DE VICUÑA MUÑOZ DE LA NAVA, JOSE LUIS
       VOCAL: GARCERÁ SANFELIU, GABRIEL
  Resum de tesi: En el año 2015 las Naciones Unidas estableció los 17 Objetivos de Desarrollo Sostenible: un conjunto de objetivos interrelacionados y una guía para alcanzar un futuro más sostenible y de mayor calidad para toda la humanidad. Las metas se establecieron con una línea de tiempo para el 2030, la séptima meta se refiere específicamente al acceso universal a ¿energía limpia y asequible¿. Teniendo encuenta la fracción considerable de la población mundial que no tiene acceso a la electricidad, especialmente en las zonas rurales, este objetivo aún requiere un gran esfuerzo e inversión. Las microrredes híbridas rurales, que integran y gestionan los recursos de energía solar y eólica para proporcionar servicio eléctrico a lugares remotos, son una solución prometedora para llegar a este escenario de ¿última milla¿. Sin embargo, como se reporta en la literatura, aún existe poca información sobre el desempeño de estos sistemas basada en datos medidos y obtenidos en condicionesoperativas, reales de campo. Este trabajo busca contribuir en este aspecto principalmente mediante el análisis de los datos obtenidos en la microrred híbrida comunitaria de 9 kW en Laguna Grande, que está operativa desde 2016 en la costa de Perú. Esta microrred ha sido equipada con sensores y sistemas de adquisición de datos que miden y registran la energía solar. radiación, velocidad del viento,temperaturas y todos los parámetros eléctricos relevantes.Como estudio preliminar se evalúa la brecha y costos de electrificación rural, así como la disponibilidad de recurso solar y eólico en la zona de interés. Se realiza una revisión bibliográfica y del estado del arte, seguida de la definición del concepto de microrred y las diferentes formas en que se puede configurar una microrred rural. Se describe la forma particular en que se configura e instrumenta la microrred Laguna Grande. Las condiciones meteorológicas medidas como la radiación solar, la velocidad del viento y la temperatura se analizan y relacionan con la energía generada por los paneles fotovoltaicos y la turbina eólica. Esto a su vez conduce al balance con respecto a la potencia entregada a la comunidad y consecuentemente a los niveles de voltaje del banco de baterías. Los conceptos de dinámica de batería se utilizan para determinar la profundidad de descarga (DOD) de las baterías en unrégimen de tiempo real. Las estadísticas de los valores DOD permiten estimar la duración de la batería, lo cual es un factor clave para la economía y confiabilidad de la microrred.Se realiza un estudio paramétrico para evaluar el efecto de variar el tamaño de la batería en el desempeño técnico y económico de la microrred; de igual forma, con capacidad de generación tanto en arreglos fotovoltaicos como en aerogeneradores. Complementariamente, se utiliza un software comercial para optimizar la microrred, introduciendo componentes de última generación como baterías de iones de litio, electrónica de potencia y módulos fotovoltaicos para una futura actualización.Finalmente, este estudio no estaría completo sin enfatizar la importancia y la adecuada consideración del factor humano para el éxito y la sostenibilidad a largo plazo de los proyectos de electrificación rural.
  

• CARANDELL WIDMER, MATIAS: Contributions to the design of energy harvesting systems for autonomous sensors in low power marine applications
  
  Autor/a: CARANDELL WIDMER, MATIAS
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/674152
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Compendi de publicacions
  Data de lectura: 28/04/2022
  Director/a de tesi: DEL RIO FERNANDEZ, JOAQUIN | GASULLA FORNER, MANUEL
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: SEAN HOLMES, ANDREW
       SECRETARI: GOMARIZ CASTRO, SPARTACUS
       VOCAL: CHUMBINHO, ROGERIO
  Resum de tesi: Les plataformes d¿observació oceanogràfiques integren sensors que proporcionen dades físiques i biogeoquímiques de l¿oceà que ajuden a entendre canvis en l¿entorn marí. Un exemple d¿aquestes plataformes són les boies de deriva (drifters), que sóndispositius autònoms i passius utilitzats en l¿àmbit de la recerca climàtica per obtenir dades in-situ de la superfície marina.Aquests instruments són de baix cost, versàtils, fàcils de desplegar i poden cobrir grans superfícies quan s¿utilitzen en grup. L¿autonomia és un dels principals desafiaments en el disseny de drifters. Per tal d¿evitar els costos en la substitució de bateries, s¿estudien diferents fonts de captació d¿energia com per exemple la solar. Els drifters utilitzats per l¿estudi dels corrents marins superficials han d¿evitar l¿impacte directe del vent ja que afecta al correcte seguiment de les corrents i, per tant, cal que estiguin majoritàriament submergides. Això compromet la viabilitat de l¿energia solar, fet que requereix l¿estudi d¿altres fonts de captació com el propi moviment de la boia causat per les onades. Els convertidors d¿energia de les onades (WEC, wave energyconverters) compleixen aquesta funció. El moviment dels drifters pot explicar-se bàsicament a través de 3 graus de llibertat oscil¿latoris: la translació vertical i lahoritzontal i el balanceig. La translació vertical inclou la flotabilitat del dispositiu, que es pot descriure mitjançant el model massamolla- amortidor. Incloure la càrrega hidrodinàmica de l¿onada en aquest model el converteix en un sistema no lineal amb una resposta freqüencial que inclou la de l¿onada i les naturals del sistema lineal. Una opció per maximitzar l¿energia captada és dissenyar el WEC amb una freqüència natural similar a la del moviment de la boia. En aquesta tesis es proposa un model de 4 graus de llibertat per a l¿estudi del moviment del drifter. Aquest inclou els 3 graus de llibertat de la boia i el moviment del pèndul relatiu a ella. En paral¿lel, es proposen diferents WEC del tipus pendular per drifters de reduïdes dimensions. Un d¿aquests WEC consisteix en un doble braç articulat amb massa flotant que genera energia a través del seu moviment relatiu al drifter. S¿han dut a terme diferents proves experimentals amb un prototip inferior a 10 cm de diàmetre i 300 g de massa, les quals demostren la seva capacitat de captar centenars de microwatts en condicions marines estàndard.Utilitzar fonts de captació d¿energia requereix incloure una unitat gestora de potència (PMU, power management unit) per tal de convertir la seva sortida variable en una font constant i neta que alimenti l¿electrònica dels sensors. Les PMU també tenen lafunció d¿assegurar que es recull la màxima energia mitjançant un algoritme de seguiment del punt de màxima potència. Els WEC requereixen un seguiment d¿aquest punt ràpid perquè la seva sortida consta de variacions relativament ràpides. Tanmateix, augmentar la freqüència de mostreig pot reduir l¿energia captada. En aquesta tesi, s'analitza a fons aquesta relació utilitzant la tècnica de seguiment de la tensió en circuit obert fraccionada basada en resistències, que és molt adequada per a fonts de baixa potència. Diversos experiments realitzats en el medi marí mostren la necessitat d'augmentar la freqüència de mostreig, així que es proposa l'ús de PMU comercials amb una electrònica addicional de baix consum. S¿han fabricat tres circuits diferents amb un període de mostreig de 60 ms i s¿han avaluat experimentalment en un WEC de reduïdes dimensions. Els resultats mostren que aquestes configuracions milloren l'energia recollida en un 26% en comparació a PMU amb mostreig més lent.Finalment, s¿ha dissenyat un sistema autònom de monitorització marina que inclou un algoritme de mesura d'ones propi. Aquest sistema és capaç de transmetre fins a 22 missatges al dia
  

• CARRIÓ DÍAZ, DAVID: Simulació 2D/3D de cèl.lules solars de silici de contactes posteriors
  
  Autor/a: CARRIÓ DÍAZ, DAVID
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/675063
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 25/07/2022
  Director/a de tesi: ORTEGA VILLASCLARAS, PABLO RAFAEL
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: DELLA PIRRIERA, MÓNICA BEATRIZ
       SECRETARI: VOZ SANCHEZ, CRISTOBAL
       VOCAL: GALINDO LORENTE, SERGI
  Resum de tesi: Amb la finalitat d¿optimitzar l¿eficiència de conversió fotovoltaica, diverses arquitectures de cèl·lules solars basades en silici monocristal·lí (c-Si) han sorgit al llarg del temps. Les cèl·lules solars de contactes posteriors interdigitats IBC (Interdigitated Back-Contacted cell), en disposar els contactes a la part posterior, permeten una major absorció de llum, i milloren la integració de les cèl·lules al mòdul. Al llarg de la tes i s ¿es tudiaran, mitjançant l¿eîna de simulació comercial de dispositius semiconductors 2D/3D Sentaurus Synopsis TCAD, diversos dissenys i tipologies de cèl·lules IBC de c-Si, alguna d¿elles, fabricades finalment al laboratori del grup de Micro i Nanotecnologies MNT de la UPC. Després d¿es tudiar l¿es tat de l¿art en aques t tipus d¿es tructures al capíitol 1 de la tesi, es farà una introducció als models fíísics utilitzats a la simulació al capítol 2. A més , s ¿introduirà el concepte de cèl·lula unitària i càl·lula míinima de simulació amb la finalitat de reduir el temps i els recursos de memòria de les simulacions. La repetició periòdica de la cèl·lula unitària als eixos X i Y reprodueix la cèl·lula solar total mitjançant escalat de corrent. Al capítol 3, s ¿es tudien es tructures IBC amb contactes puntuals del darrere amb cel· la unitària cons tant. Aques t tipus d¿es tructura de contactes s ¿adequa a la tecnologia làser de què disposa el grup MNT per a la fabricació de cèl·lules solars. En aquest cas, lasejant capes dielèctrics amb contingut d¿alumini i de fòsfor s¿aconsegueixen els contactes p+ i n+ respectivament. Les simulacions permetran determinar la distància òptima o pitch entre contactes, així com el potencial d¿eficiència que es pot aconseguir mitjançant aquest concepte atenent a la velocitat de recombinació del contacte de base. Al capíitol 4, s ¿analitzen alternatives de més complexitat per mitigar l¿efecte d¿una mala passivació dels contactes de base, ja sigui utilitzant contactes puntuals o bé estructures basades en tècniques més convencionals fent servir regions dopates en tires, per exemple. En aquest capítol es defineix un paràmetre geomètric important i nou com és el factor de cobertura d¿emis s or (FE). Aques t paràmetres os pes a el pes dels contactes /regions d¿emis s or a les prestacions del dispositiu, interessant que sigui elevat, per a mitigar l¿efecte perniciós de tenir un contacte de base amb mala passivació. A més, es discutiran diverses estratègies, ja sigui o bé mantenint la cel·la unitària constant o bé augmentant-la tant a contactes puntuals com utilitzant regions dopates extenses (large emitter coverage strategy). Gràcies als conceptes utilitzats en aquest capítol, el grup MNT ha pogut desenvolupar cèl· lules solars amb contactes puntuals làser en col·laboració amb el centre làser de la Universitat Politècnica de Madrid (UPM) amb rendiments superiors al 20 %. Al capítol 5, s ¿analitza l¿efecte de la res is tència sèrie del grid de metal·lització i dels contactes, i com incloure¿l a les s imulacions. Al capítol 6, les simulacions permetran dimensionar i estudiar la millor geometria per aplicar-la a cèl·lules solars IBC amb anotexturització black silicon (b-Si) a la superfície frontal. Gràcies a les s imulacions , s ¿han dissenyat les màscares de fotolitografia per a la fabricació de cèl·lules solars IBC b-Si fruït d¿una col·laboració amb la Universitat finlandes a d¿Aalto, acons eguint-s e rendiments per s obre del 22 %, que són els més grans aconseguits fins la data combinant una estructura IBC amb b-Si frontal. També, fruït de les s imulacions , s ¿han dis s enyat les màscares de fotolitografia per fabricar un minimòdul black en col·laboració amb l¿empres a finlandes a Valoe. Finalment, al capítol 7, s¿explora el potencial que ofereixen les cél·lules solars IBC per a aplicacions de
  

• CISNEROS FERNÁNDEZ, JOSE AGUSTÍN: Low-Power High-Channel-Count CMOS ROICs for Multiplexed Arrays of Graphene Transistors in Large-Area µECoG
  
  Autor/a: CISNEROS FERNÁNDEZ, JOSE AGUSTÍN
  Tesi completa: (contacteu amb l'Escola de Doctorat per confirmar que sou un doctor acreditat i obtenir l'enllaç a la tesi)
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 07/07/2022
  Director/a de tesi: SERRA GRAELLS, FRANCESC | GUIMERA BRUNET, ANTON
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: DELGADO RESTITUTO, MANUEL
       SECRETARI: MOLL ECHETO, FRANCESC DE BORJA
       VOCAL: MORA LOPEZ, CAROLINA
  Resum de tesi: There is an increasing interest on the development of neural interfaces able to decipher the neural activity across multiple regions of the brain. The ultimate goal is understanding how the underlying brain dynamics drive the cognitive activities, such learning and moving or the response towards impairing diseases. Despite the huge advance in neuroscience, there is still a lack of knowledge for a complete conception of the brain, mainly because the neural activity spans over a wide range of temporal and spatial resolutions making it difficult to be recorded with a single technology.The electrical nature of the brain activity makes electrophysiology of paramount importance for the deep study of brain dynamics. Indeed, the current state-of-art invasive electrophysiological techniques include intracortical monolithic CMOS ROICs able to resolve the neural activity from single neurons, and epicortical hybrid MEAs for the recording of µECoG signals. The monolithic solutions have benefited from the scalability of CMOS technologies, with on-chip recording sensors and circuits, while hybrid neural interfaces still suffer from the point-to-point connectivity limitations and they have been mainly focused on exotic materials and discrete electronics.This PhD thesis explores novel multiplexing techniques for graphene active sensing arrays by means of tailored ROIC architectures and mixed-signal CMOS circuits, which extend the state-of-art coverage to larger areas with high-density neural interfaces by solving the current connectivity restrictions of hybrid systems. In this sense, this research presents two 1024-channel ROIC demonstrators in 1.8-V 180-nm CMOS technology representing a substantial increment on the channel count in hybrid systems while keeping the system integration at low cost and low complexity.The first research line, proposes a conservative approach based on a time-domain multiplexing scheme to minimize the connectivity for G-SGFET-only sensor arrays by moving the selection switches to the CMOS ROIC. Apart from solving the connectivity issue, the proposed multiplexing scheme is able to reduce the array technological complexity while preserving the demonstrated DC-coupled neural recording capability of G-SGFET sensors. Moreover, a modular ROIC architecture and accompanying CMOS circuits are introduced to overcome the main design challenges on channel-count scalability, like individual offset current cancellation or the degradation of the AFE noise figures. In addition, electrical tests together with in-vivo experimental results are presented to support the system capabilities of this first complete state-of-art hybrid ROIC specially designed for G-SGFET sensors.The second research line proposes a novel frequency-domain multiplexing technique capable of exploiting the intrinsic mixer capabilities of the graphene transistor to achieve a truly switch-less operation of high-channel-count G-SGFET-only probes. The mixing process allocates in continuous time the desired neural signal from the gate of the sensor into a desired frequency band avoiding both CMOS flicker noise and sampled noise folding. Scalability in this state-of-art advancement is reached by means of a custom modular ROIC architecture and specific CMOS circuit blocks. Indeed, the solutions are presented for the main design challenges in terms of generation of the required harmonic carriers and optimization of the shared full scale occupancy. The resulting neural interface is still DC coupled and capable of infra-slow recording. Finally, electrical test and in-vivo experiments are reported to support the working hypothesis.
  

• LUMBRERAS CARRASCO, DAVID: Development of an active power filter based on wide-bandgap semiconductors
  
  Autor/a: LUMBRERAS CARRASCO, DAVID
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/675092
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 19/07/2022
  Director/a de tesi: ZARAGOZA BERTOMEU, JORDI | MON GONZÁLEZ, JUAN
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: ROMERO CADAVAL, ENRIQUE
       SECRETARI: LAMICH AROCAS, MANUEL
       VOCAL: ESPINA MASRAMON, JORGE
  Resum de tesi: Els equips elèctrics i electrònics necessiten corrents i tensions sinusoidals per funcionar correctament. Existeixen equips com els ordinadors, els electrodomèstics, els carregadors de vehicle elèctric o les llums LED, que poden distorsionar la xarxa i empitjorar la qualitat d'aquesta. Les xarxes elèctriques distorsionades poden causar el mal funcionament dels equips que s'hi connecten, reduir la seva vida útil i també empitjorar la seva eficiència. A la indústria és habitual utilitzar filtres actius per a solucionar aquests problemes. Els filtres actius permeten minimitzar els harmònics presents a la xarxa, eliminar la potència reactiva no desitjada i equilibrar xarxes elèctriques desequilibrades.Aquesta tesi tracta sobre el disseny i la implementació d'un filtre actiu basat en semiconductors de banda ampla. Aquests semiconductors presenten propietats superiors als clàssics dispositius de silici. El disseny d'un filtre actiu ha d'aprofitar aquests avantatges per a construir convertidors més petits, eficients i que consumeixin menys recursos. Tanmateix, els semiconductors de banda ampla també presenten problemes que el disseny ha de solucionar. Els filtres actius més utilitzats en la indústria són els basats en convertidors de font de tensió (voltatge source converters) amb dos nivells. La recerca d'aquesta tesi doctoral està focalitzada en aquesta topologia de convertidor, i el seu principal objectiu és l'aportació de noves tècniques de modulació especialment dissenyades per treballar amb semiconductors de banda ampla. Les modulacions proposades tenen en compte diferents aspectes: el cost computacional dels algoritmes, les pèrdues del convertidor i la distorsió electromagnètica generada.En primer lloc, es presenta una modulació sigma-delta hexagonal (H-S¿) que es basa en la modulació sigma-delta (S¿). S'estudien les propietats d'aquesta modulació i la tècnica es compara amb altres modulacions àmpliament usades. La comparativa realitzada considera l'eficiència, la distorsió harmònica, la compatibilitat electromagnètica del convertidor i el tipus de semiconductor de banda ampla emprat. Addicionalment, es desenvolupa matemàticament un algoritme ràpid per simplificar la modulació presentada i reduir el seu cost computacional.En segon lloc, es presenta una família de modulacions sigma-delta especialment dissenyades per millorar la compatibilitat electromagnètica: les modulacions sigma-delta amb tensió en mode comú reduïda (RCMV-S¿). Aquestes modulacions eviten fer servir els vectors que generen la màxima tensió en mode comú. D'aquesta manera es redueix significativament la distorsió electromagnètica generada sense afectar de forma notable al rendiment del convertidor ni a la seva distorsió harmònica.Finalment, les modulacions proposades s'apliquen en un convertidor de potència, basat en semiconductors de banda ampla, que treballa com a filtre actiu. Així es verifica que les tècniques presentades en aquesta tesi poden ser implementades en filtres actius comercials obtenint resultats satisfactoris.
  

• LUO, CHENGYANG: Textile UHF-RFID Antenna Sensors Based on Material Features, Interfaces and Application Scenarios
  
  Autor/a: LUO, CHENGYANG
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/674757
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Compendi de publicacions
  Data de lectura: 21/06/2022
  Director/a de tesi: FERNANDEZ GARCIA, RAUL | GIL GALI, IGNACIO
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: BONACHE ALBACETE, JORDI
       SECRETARI: AMANTE GARCIA, BEATRIZ
       VOCAL: SIEIRO CÓRDOBA, JAVIER JOSÉ
  Resum de tesi: La identificación por radiofrecuencia sobre substratos textiles de ultra alta frecuencia (UHF-RFID) con capacidad de medida es una tecnología prometedora para desarrollar nuevas aplicaciones en el campo de la salud y el Internet de las cosas (IOT), debido a la masiva utilización de los tejidos y a la madurez tecnológica de las técnicas de bordado. Esta tesis es el resultado de un compendio de publicaciones sobre dicha temática. En primer lugar, como resultado del análisis del estado del arte se ha publicado una revisión sistemática titulada 'Wearable textile UHF-RFID sensors: A systematic review'.La tesis tiene como objetivo mejorar la investigación sobre la tecnología de sensores basada en textiles UHF-RFID. Gracias al análisis del estado del arte se han fijado tres objetivos de investigación novedosos que vale la pena explorar. El primero es estudiar funciones de detección novedosas para la tecnología de sensores basada en UHF-RFID textiles; el segundo es encontrar una solución de conexión/interfaz entre antenas textiles y chips de circuito integrado (IC) y el tercero es la reducción de costes de dicha tecnología para promover futuras aplicaciones comerciales. Para contextualizar la tesis, ésta incluye los fundamentos teóricos necesarios y los métodos de fabricación y caracterización utilizados durante la misma.Como resultado del trabajo derivado del primer objetivo, se ha publicado un artículo científico titulado ¿Textile UHF-RFID Antenna Sensor for Measurements of Sucrose Solutions in Different Levels of Concentration¿. En este trabajo, se propone una etiqueta UHF-RFID textil con dos posiciones de detección para mediciones de solución de sacarosa. Las dos posiciones de detección con las diferentes funciones de detección muestran un buen rendimiento y pueden ofrecer dos opciones para futuras aplicaciones completas. Además, se ha publicado otro artículo científico titulado " Textile UHF-RFID Antenna Embroidered on Surgical Masks for Future Textile Sensing Applications " para respaldar el primer objetivo. La inspiración para este trabajo vino de la actual situación de pandemia. En este trabajo se desarrollan tres diseños progresivos de antenas UHF-RFID textiles sobre mascarillas quirúrgicas debido a la situación epidémica mundial actual. Las pruebas de fiabilidad demostraron que los diseños propuestos se pueden usar para aplicaciones centradas en el cuidado de las personas.Como resultado del segundo objetivo, se ha publicado un artículo de investigación titulado 'Experimental Comparison of Three Electro-textile Interfaces for Textile UHF-RFID Tags on Clothes'. En este trabajo se proponen tres interfaces electro-textiles integradas con las correspondientes antenas UHF-RFID textiles y se aportan las soluciones de conexión chip-textil (mediante costura, botones a presión e inserción). Como resultado de este objetivo, se ha propuesto un sistema de interconexión electro-textil junto con su modelo eléctrico, lo que permite la correcta adaptación de impedancias entre las antenas RFID y el circuito integrado. Vale la pena señalar que se ha verificado la viabilidad de uso mixto de las interfaces electro-textiles propuestas y las antenas UHF-RFID textiles diseñadas, lo que reduce el coste en el procedimiento de diseño en aplicaciones donde los requerimientos de rango de lectura del orden de 1 metro.El tercer objetivo se ha alcanzado y expuesto mediante un artículo científico titulado 'Electro-textile UHF-RFID Compression Sensor for Health-caring Applications'. En él, se propone un único sensor textil de compresión basado en UHF-RFID que puede ser utilizado a la vez en dos escenarios de aplicación distintos en el ámbito de la salud, lo que impacta directamente en la reducción de costes.
  

• NTINAS, VASILEIOS: Harnessing Memristor circuits and device variability in Emergent Computing applications
  
  Autor/a: NTINAS, VASILEIOS
  Tesi completa: (contacteu amb l'Escola de Doctorat per confirmar que sou un doctor acreditat i obtenir l'enllaç a la tesi)
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Conveni Cotutela + Embargament temporal
  Data de lectura: 04/04/2022
  Director/a de tesi: RUBIO SOLA, JOSE ANTONIO | SIRAKOULIS, GEORGIOS
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: LOPEZ VALLEJO, MARISA
       SECRETARI: RODRIGUEZ MONTAÑES, ROSA
       VOCAL: CORINTO, FERNANDO
  Resum de tesi: Actualment, la tecnologia CMOS convencional i l'arquitectura informàtica de von Neumann lluiten per seguir el ritme, ja que compleixen les seves respectives limitacions tant des del punt de vista físic. com a pràctic, és a dir, límits de miniaturització, augment de costos, calor i consum d'energia. En aquest sentit, el memristor es presenta com un candidat prometedor per superar els límits de la tecnologia i la informàtica recents. Els dispositius Memristor ofereixen funcions noves, com ara l'emmagatzematge d'informació analògic no volàtil amb un funcionament ràpid i de baix consum. Tanmateix, els dispositius memristor encara s'enfronten a problemes importants que dificulten la seva comercialització generalitzada. La modelització del seu comportament dinàmic encara s'està investigant, considerant també l'estabilitat numèrica en simulacions a gran escala. També l'ajust de la seva conductivitat sorgeix de processos intrínsecament estocàstics que donen lloc a una gran variabilitat durant el funcionament del dispositiu, afectant també la seva funcionalitat dins d'un circuit.Així, en aquesta tesi, s'ha abordat el modelatge de dispositius memristors en un enfocament dual. D'una banda, treballant en un model de memristor basat en la física existent, es realitzen les transformacions matemàtiques necessàries per derivar una forma analítica i transcendental del comportament dinàmic del dispositiu sota estímuls constants positius i negatius, respectivament, que permetin l'estudi analític. de programació de memristor. D'altra banda, s'ha desenvolupat un marc matemàtic probabilístic per modelar memristors estocàstics-conscients basat en les equacions mestres dels processos de salt de Markov. El marc proposat captura el canvi probabilístic dels dispositius de memristor que s'origina a partir de l'estocasticitat intrínseca del dispositiu, permetent també la modelització de memristors estocàstics multiestatals.L'estocasticitat del memristor imposa una variabilitat perjudicial en la programació dels dispositius de memristor. Per abordar aquest problema, vaig adoptar un enfocament contra-intuïtiu basat en el fenomen del sistema no lineal anomenat ressonància estocàstica (SR). Originalment, SR es va utilitzar per millorar la finestra de resistència d'un memristor. Més tard, en aquesta tesi, aquest fenomen es va estudiar per a una varietat més àmplia de models de memristor, inclosa la variabilitat del dispositiu, que també es va demostrar amb mesures experimentals en dispositius de memristor únic. S'ha realitzat un estudi detallat sobre la programació assistida per soroll d'un memristor en cèl·lules de memòria ReRAM, individualment o en matriu, que mostra l'eficiència energètica de l'enfocament proposat assistit per soroll. ja que les amplituds nominals de la tensió de programació es poden reduir en presència de soroll sense danyar la precisió de la programació.Durant aquesta tesi s'ha investigat l'explotació beneficiosa de l'estocasticitat de memristor dins d'un nou paradigma informàtic. Tenint en compte una configuració informàtica emergent, els autòmats cel·lulars (CA), els dispositius de memristor s'incorporen a la matriu CA per ampliar les capacitats de CA, mitjançant la commutació probabilística de memristor, establint la nova CA probabilística basada en memristor (MemPCA). S'estudia l'efecte del memristor en la forma més simple CA, CA elemental, donant lloc a una entropia del sistema millorada per a una certa probabilitat de commutació. A més, la primera implementació d'ECA a nivell de transistors s'ha dut a terme en un enfocament de tots els memristors, amb dispositius memristors que participen tant en mòduls de cèl·lules com de regles. La nova implementació proposada de MemPCA aconsegueix una alta velocitat de funcionament, a causa de la font ultraràpida d'entropia per cèl·lula, és a dir, el dispositiu memristor. La funcionalitat de MemPCA es mostra t
  

• RAFIEZADEH, ROYA: Contributions to the Characterization and Design Optimization of Power Converters Based on Switching-Cell Arrays
  
  Autor/a: RAFIEZADEH, ROYA
  Tesi completa: (contacteu amb l'Escola de Doctorat per confirmar que sou un doctor acreditat i obtenir l'enllaç a la tesi)
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Normal
  Data de lectura: 10/11/2022
  Director/a de tesi: BUSQUETS MONGE, SERGIO | ALEPUZ MENENDEZ, SALVADOR SIMON
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: CÓBRECES ÁLVAREZ, SANTIAGO
       SECRETARI: BORDONAU FARRERONS, JOSE
       VOCAL: DE PABLO GÓMEZ, SANTIAGO
  Resum de tesi: La busqueda de estandarizacion en el diseno de convertidores de potencia esta motivada por el potencial de una disminucion significativa en el tiempo de diseno, una disminucion significativa en el coste del convertidor y un aumento en las prestaciones del convertidor. Un proceso de diselio sistematico de convertidores de potencia empleando componentes estandar podrfa ayudar en esta direccion. Un enfoque reciente para alcanzar este objetivo consiste en el diselio de convertidores de potencia basados en las denominadas matrices de celdas de conmutacion (SCAs). Una SCA es una disposicion matricial de celdas de conmutacion (SCs) altamente optimizadas que se pueden interconectar de diferentes maneras para implementar ramas de convertidor con enclavamiento active a punto neutro con diferentes valores nominales de voltaje y corriente. Estas ramas se pueden usar para implementar el bloque de conmutacion complete de los convertidores de potencia. Cada SC esta compuesta por un interrupter active con diode antiparalelo controlado por un controlador de puerta autoalimentado. El proceso de diselio de ramas de convertidores de potencia basadas en SCAs ofrece varies grades de libertad y ventajas. Sin embargo, la exploracion exhaustiva del potencial de este nuevo enfoque prometedor sigue siendo un tema pendiente. El proposito general de esta tesis es explorar el potencial del diseno de convertidores de potencia basados en SCAs construidas con un numero limitado de SCs diferentes. Esta investigacion se centra en la busqueda de la diversidad optima de SCs, de las configuraciones optimas de SCAs y de las estrategias optimas de conmutacion para implementar ramas optimizadas de convertidor de potencia basadas en SCA considerando eficiencia, fiabilidad y simplicidad. Para poder comparar diferentes disenos posibles de ramas de convertidores de potencia basadas en SCA, en primer lugar, se deriva un modelo termoelectrico promedio de estado estacionario apropiado para permitir estimar las perdidas y la temperatura de todos los dispositivos semiconductores de potencia dentro de la rama del convertidor. La eficacia y precision de este modelo para capturar las principales prestaciones del sistema se verifican mediante comparaciones analfticas y experimentales. En segundo lugar, para ampliar aun mas el analisis de prestaciones, se desarrolla una evaluacion rapida de la fiabilidad de las topologfas de enclavamiento a punto neutro mediante modelos de Markov. Los supuestos del modelo se verifican mediante pruebas experimentales. Ademas, se presenta la comparacion de fiabilidad de diferentes configuraciones de ramas de convertidor basadas en el modelo propuesto. En tercer lugar, empleando los modelos termoelectricos y de fiabilidad propuestos, se exploran los beneficios termicos y de fiabilidad al configurar el bloque de semiconductores de potencia de los convertidores de potencia con varies dispositivos semiconductores de potencia estandar pequenos en lugar de unos pocos mas grandes, manteniendo un area de chip total fija. La eficacia de una granularidad de dispositivo semiconductor de potencia mas fina se analiza en el contexto de un diselio de convertidor reductor sfncrono en diferentes condiciones de funcionamiento, empleando SCAs para implementar el bloque de componentes semiconductores de la rama del convertidor de potencia. Finalmente, se presenta un metodo de optimizacion basado en un algoritmo surrogate para determinar la configuracion optima de las ramas de convertidores de potencia basadas en SCA, incluyendo el numero de SCs paralelas en cada posicion de la rama del convertidor y la distribucion de perdidas de conmutaci6n entre las SCs. Se consideran dos tipos de sistemas de conversion para ilustrar este metodo automatizado de diselio 6ptimo: un convertidor cc-cc reductor sfncrono y un convertidor cc-ca trifasico.
  

• RIPOLL VERCELLONE, EDGAR: Design and implementation of wireless nodes for the Internet of Things
  
  Autor/a: RIPOLL VERCELLONE, EDGAR
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/674226
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Compendi de publicacions
  Data de lectura: 01/04/2022
  Director/a de tesi: GASULLA FORNER, MANUEL | REVERTER CUBARSI, FERRAN
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: CASAS NEBRA, ROBERTO JOSE
       SECRETARI: CASAS PIEDRAFITA, JAIME OSCAR
       VOCAL: PENELLA LÓPEZ, MARIA TERESA
  Resum de tesi: El Internet de las cosas es un tema tendencia en estos días. Sin embargo, la energía es a menudo el principal obstáculo para la adopción generalizada de esta tecnología, que tiene tres restricciones estrictas: es extremadamente orientada a los costos,requiere una larga vida útil y un tamaño pequeño. Como consecuencia, los desarrolladores deben superar muchos desafíos relacionados con la gestión óptima de la energía disponible para alimentar un nodo. Esta gestión no solo se limita a la fuente de alimentación, sino que también comprende el consumo energético inteligente del nodo. En este trabajo se abordan tres desafíos: el primero asociado con el sistema de detección del nodo, el segundo, con el consumo de energía cuando el nodo no está rnfuncionamiento, y el tercero, con la recolección de energía. Las contribuciones de esta tesis se presentan como un compendio de artículos de tres publicaciones de revista y tres artículos de conferencias, donde cada publicación aborda uno de los desafíos.La primera contribución está relacionada con el sistema de detección del nodo. En particular, el sistema de detección de los contadores electrónicos de gas. Se ha desarrollado un nuevo sistema de detección para contadores de gas. Se basa en unadetección magnética dual: a) detección primaria de bajo costo y baja potencia a través de interruptores de lengüeta conectados a entradas digitales del microcontrolador (MCU), y b) detección secundaria mediante sensores de efecto Hall acoplados a entradas analógicas de la MCU. Además, ambos sistemas de detección utilizan un elemento activo y uno pasivo para proporcionar una salida que es inmune a imanes externos que puedan interferir con la medición. Para corroborar la fiabilidad del prototipo, se implementó y evaluó en varios escenarios de prueba.La segunda contribución de este trabajo de investigación ha propuesto, analizado y evaluado un circuito de activación sin contacto para MCUs, que hace uso de un diodo emisor de luz (LED) que funciona como fotodetector y es iluminado por el flash de un móvil.El circuito comprende un filtro pasa alto y un traductor de nivel de voltaje que conecta el LED al MCU a través de una resistencia apropiada en paralelo. Cuando se hace conmutar el flash, el LED produce una señal cuadrada, que se traduce en niveles lógicos en la salida del circuito de activación. Un firmware integrado en el MCU garantiza que se reciba una serie específica de pulsos lógicos a una cierta velocidad para activar el MCU. Estas etapas adicionales lo hacen más robusto contra las interferencias de la luz ambiental. Se debe resaltar que los fabricantes de LED no divulgan información sobre cómo responden los LED a la luz. En consecuencia, esta segunda aportación se complementa con la caracterización corriente vs. tensión de varios tipos de LED.Finalmente, en la tercera contribución, se aborda el desafío energético asociado con la fuente de energía del nodo. Específicamente, la recolección de energía de señales de radiofrecuencia (RF) presentes en el medio ambiente se elige entre todas las fuentes de energía disponibles. En este estudio se propone un modelo compacto de Thévenin para una rectenna. La rectenna investigada comprende una red de adaptación L y un rectificador de media onda. El modelo desarrollado es más simple ycompacto que los propuestos previamente en la literatura, y contiene representaciones explícitas de la tensión y la resistencia de Thévenin y la eficiencia energética. Los hallazgos experimentales apoyan el modelo sugerido, demostrando una relación lineal entre la corriente y la tensión, así como una eficiencia máxima (60%) a -10 dBm. En la salida de rectenna, también se empleó un MPPTpara trabajar automáticamente en el punto de mayor eficiencia, con una eficiencia general cercana al 50% a -10 dBm. Se llevaron a cabo más experimentos, esta vez con una antena de transmisión cercana, para alim
  

• VALLE FRAGA, JUAN JOSÉ: Design, Fabrication, Characterization and Reliability Study of CMOS-MEMS Lorentz-Force Magnetometers
  
  Autor/a: VALLE FRAGA, JUAN JOSÉ
  Enllaç a la tesi: http://hdl.handle.net/10803/674302
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Compendi de publicacions
  Data de lectura: 06/04/2022
  Director/a de tesi: FERNÁNDEZ MARTÍNEZ, DANIEL | MADRENAS BOADAS, JORDI
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: BARNIOL BEUMALA, NURIA
       SECRETARI: DOMINGUEZ PUMAR, MANUEL MARIA
       VOCAL: KAYNAK, MEHMET
  Resum de tesi: Hoy en día, la forma más común de producción en masa es una tecnología llamada Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS). La interfaz de los circuitos integrados (IC) de sensores comerciales se fabrica usando, precisamente, esta tecnología. Actualmente es común que los sensores se implementen usando Sistemas Micro-Electro-Mecánicos (MEMS), que necesitan ser fabricados usando procesos especiales de micro-mecanizado. En un último paso, la circuitería CMOS y el MEMS se combinan en un único elemento, llamado package.En algunas aplicaciones, la integración de la electrónica CMOS y los dispositivos MEMS en un único chip (CMOS-MEMS) alberga el potencial de reducir los costes de fabricación, el tamaño, los parásitos y el consumo, al compararla con otras formas de integración. Resulta notable que un dispositivo CMOS-MEMS pueda ser construido con las capas del back-end-of-line (BEOL) de un proceso CMOS. Pero, a pesar de sus ventajas, este enfoque ha demostrado ser un gran desafío como demuestra la falta de productos comerciales en el mercado.El objetivo principal de esta Tesis es probar que un MEMS de altas prestaciones, sellado y empaquetado en un encapsulado estándar, puede ser correctamente modelado y fabricado de una manera fiable usando las capas del BEOL de un proceso CMOS. Para probar esto mismo, el primer magnetómetro CMOS-MEMS de fuerza de Lorentz (LFM) fue exitosamente diseñado, modelado, fabricado, caracterizado y sometido a varias pruebas de fiabilidad, obteniendo un rendimiento comparable o superior al de los típicos magnetómetros de estado sólido, los cuales son usados en móviles actuales. Cabe destacar que en esta Tesis se presenta una novedosa técnica con la que se evitan offsets magnéticos, el mayor inconveniente de los magnetómetros de fuerza Lorentz. Su efectividad fue confirmada experimentalmente.En los inicios, los problemas asociados al proceso de fabricación de MEMS usando las capas BEOL de obleas CMOS resultaba desalentador. Liberar estructuras MEMS hechas con obleas CMOS con vapor de HF producía efectos no deseados que bien podrían llevar a la conclusión de que este enfoque de fabricación no es viable. Sin embargo, se idearon y probaron técnicas de diseño especiales y soluciones ad-hoc para contrarrestar estos efectos no deseados. Se implementaron en el diseño del magnetómetro de Lorentz presentado en esta Tesis, arrojando excelentes resultados, lo cual despeja el camino hacia la fabricación de diferentes dispositivos MEMS usando las capas BEOL.
  

• VEGA BRU, DIDAC: Silicio macroporoso para cristales fotónicos y otras aplicaciones avanzadas
  
  Autor/a: VEGA BRU, DIDAC
  Tesi completa: (contacteu amb l'Escola de Doctorat per confirmar que sou un doctor acreditat i obtenir l'enllaç a la tesi)
  Programa: ENGINYERIA ELECTRÒNICA
  Departament: Departament d'Enginyeria Electrònica (EEL)
  Modalitat: Embargament temporal
  Data de lectura: 14/01/2022
  Director/a de tesi: RODRIGUEZ MARTINEZ, ANGEL
  

  Tribunal:
       PRESIDENT: DIOS OTIN, VICTOR FEDERICO
       SECRETARI: HORRILLO GÜEMES, MARÍA DEL CARMEN
       VOCAL: MARIN PALACIOS, Mª PILAR
  Resum de tesi: La presente tesis versa sobre el estudio de las estructuras de silicio macroporoso y su aplicación a diferentes áreas tecnológicas. El silicio macroproso es un material que se describió, en la forma en que se usa en esta tesis, por primera vez a principios de 1990, desde entonces se han sugerido diversas aplicaciones para este material, sin embargo hasta la fecha no se observado que estas hayan traspasado del ámbito del laboratorio y la investigación hasta su desarrollo comercial en su mayor parte.El silicio macroporoso es un material artificial cuya estructura se basa en la creación de agujeros de determinado tamaño en una masa de silicio. Las características ópticas y físicas dependerán de la morfología de estos agujeros. Un campo de gran interés es el de las aplicaciones fotónicas. La creación de estructuras periódicas permite alterar el paso de las ondas electromagnéticas a través del material, creando así los llamados cristales fotónicos. Estas estructuras rápidamente captaron la atención pues prometen la creación de dispositivos ópticos de dimensiones comparables a la longitud de onda y cuyas características espectrales pueden ser diseñadas de acuerdo con las especificaciones demandadas.El silicio macroporoso también se ha propuesto como cristal fotónico para la creación de filtros ópticos selectivos. Algunas de las aplicaciones posibles para los dispositivos de esta índole son la detección de gases o las aplicaciones termo-fotovoltaicas. Una aplicación interesante es la creación de capas anti-reflectantes. También se propone el silicio macroporoso para emisores térmicos selectivos.Otras aplicaciones del silicio macroporoso no relacionadas con los sistemas ópticos incluyen dispositivos electrónicos (condensadores de alta capacidad), almacenamiento de energía (baterías), aplicaciones micro-fluídicas (dispensación de fármacos, filtros brownianos), aplicaciones químicas (reactores, catalizadores), etc.Un aspecto a considerar para los cristales fotónicos de silicio macroporoso es la tecnología de fabricación. Las tecnologías mást típicas tienen ciertas desventajasja como el coste o la robustez de los dispositivos. Por el contrario en esta tesis se trabaja con una tecnología de gran sencillez y flexibilidad: el ataque electroquímico del silicio. Esta técnica de fabricación permite obtener estructuras con relaciones de aspecto muy elevadas y con poros de perfil modulado. Así se obtienen cristales fotónicos de tres dimensiones. Las aplicaciones de las estructuras tridimensionales son las que se han estudiado en la presente tesis.El abanico de posibles aplicaciones del silicio macroporoso es muy amplio por lo que sólo se han estudiado algunas de ellas, en concreto como plataforma de demostración. Esta tesis estudia la aplicación del silicio macroporoso como capas anti-reflectantes, emisores térmicos selectivos, filtros y sensores de gases. También se estudian las aplicaciones de condensadores y transistores FET. También se han estudiado otras aplicaciones en colaboración con otros grupos de investigación.Finalmente, uno de los aspectos más importantes que se ha desarrollado a lo largo de este trabajo ha sido el desarrollo de la tecnología, los procedimientos y el know-how para reducir las dimensiones de las estructuras de silicio macroporoso y conseguir estructuras con periodicidades de 700 nm y menores, cuyos poros presentan perfiles se pueden modular y con aplicación directa a aplicaciones ópticas como la detección de gases.
  

Darrera actualització: 26/11/2022 06:01:16.

Grups de recerca

• DISEN-Distributed Sensor Networks
• e-CAT-Circuits i Transductors Electronics
• EPIC-Disseny de circuits analogics integrats i de convertidors de potencia conmutats
• GREP-Grup de Recerca en Electronica de Potencia
• GRUP ISI-Grup d'Instrumentacio, Sensors i Interficies
• GSS-Grup Sistemes Sensors
• HIPICS-Grupo de Circuitos y Sistemas Integrados de Altas Prestaciones
• IEB-Instrumentacio Electronica i Biomedica
• ISSET-Sensors Intel·ligents Integrats i Tecnologies per a la Salut
• MCIA-Grup de Recerca Accionaments Electrics i Aplicacions Industrials
• MNT-Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
• QINE-Disseny de Baix Consum, Test, Verificacio i Circuits Integrats de Seguretat
• RFEMC-Grup de Radiofrequencia i Compatibilitat Electromagnetica en Xarxes de Comunicacions
• SARTI-MAR-Sistemes d'Adquisicio Remota de dades i Tractament de la Informacio en el Medi Mari
• SEPIC-Sistemes Electronics de Potencia i de Control
• TIEG-Terrassa Industrial Electronics Group

Grup de recerca Electronic Systems Group (GSE), UIB

Grup de recerca Electronic Engineering Group (GEE), UIB

Professorat

• Alarcon Cot, Eduard
• Alepuz Menendez, Salvador
• Altet Sanahujes, Josep
• Aragones Cervera, Xavier
• Arias Pujol, Antoni
• Arumi Delgado, Daniel
• Balado Suarez, Luz Maria
• Bermejo Broto, Sandra
• Biel Sole, Domingo
• Bordonau Farrerons, Josep
• Bragos Bardia, Ramon
• Busquets Monge, Sergio
• Cabestany Moncusi, Joan
• Carrasco Lopez, Juan Antonio
• Casanella Alonso, Ramon
• Casas Piedrafita, Jaime Oscar
• Castilla Fernandez, Miquel
• Chavez Dominguez, Juan Antonio
• Cosp Vilella, Jordi
• Cuadras Tomas, Angel
• del Rio Fernandez, Joaquin
• Delgado Prieto, Miquel
• Dominguez Pumar, Manuel M.
• Fernandez Chimeno, Mireya
• Fernandez Garcia, Raul
• Gago Barrio, Javier
• Garcia de Vicuña Muñoz de la Nava, Jose Luis
• Garcia Gonzalez, Miquel A.
• Garcia Hernandez, Miguel Jesus
• Gasulla Forner, Manel
• Gil Gali, Ignacio
• Gomariz Castro, Spartacus
• Gonzalez Diez, David
• Guinjoan Gispert, Francesc
• Jimenez Serres, Vicente
• Lamich Arocas, Manuel
• Lopez Garcia, Mariano
• Lopez Gonzalez, Juan Miguel
• Lopez Lapeña, Oscar
• Lopez Martinez, Antonio Miguel
• Madrenas Boadas, Jordi
• Manich Bou, Salvador
• Martin Garcia, Isidro
• Martinez Garcia, Herminio
• Matas Alcala, Jose
• Mateo Peña, Diego
• Miret Tomas, Jaume
• Moll Echeto, Francesc
• Mon Gonzalez, Juan
• Moreno Arostegui, Juan Manuel
• Moreno Eguilaz, Juan M.
• Nescolarde Selva, Lexa Digna
• Orpella Garcia, Albert
• Ortega Redondo, Juan Antonio
• Ortega Villasclaras, Pablo Rafael
• Pallàs Areny, Ramon
• Parisi Baradad, Vicenç
• Polo Cantero, Jose
• Pons Nin, Joan
• Puigdollers Gonzalez, Joaquim
• Quilez Figuerola, Marcos
• Ramos Castro, Juan Jose
• Ramos Lara, Rafa
• Reverter Cubarsi, Ferran
• Riu Costa, Pere Joan
• Rodriguez Martinez, Angel
• Rodriguez Montañes, Rosa
• Romeral Martinez, J.L.
• Rosell Ferrer, Javier
• Rubio Sola, Jose Antonio
• Salaet Pereira, Joan Ferran
• Salazar Soler, Jorge
• Serrano Finetti, Roberto Ernesto
• Silva Martinez, Ferran
• Silvestre Berges, Santiago
• Torrents Dolz, Josep Maria
• Turo Peroy, Antonio
• Voz Sanchez, Cristobal
• Zaragoza Bertomeu, Jordi